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    bob

    2英寸氮化鎵自支撐晶片 (Fe摻雜)

  • 尺寸: Ф 50.8 mm ± 1 mm 厚度: 350 ± 25 μm 電阻率(300k): > 10? Ω·cm
  • 性能參數:

    • 產品型號 GaN-FS-C-SI-C50
      尺寸 Ф 50.8  ± 1 mm
      厚度 350 ± 25 μm
      有效面積 >90%
      晶體取向 C-plane (0001) off angle toward M-Axis 0.35°± 0.15°
      主定位邊 (1-100)±0.5°,16.0±1.0mm
      次定位邊 (11-20)±3°,8.0±1.0mm
      TTV ≤15μm
      彎曲度 ≤20μm
      導電類型 Semi-Insulating
      電阻率(300 K) > 106 Ω·cm
      位錯密度 From1x105 to 3x106 cm-2
      拋光 Front surface:Ra<0.2 nm(polished);
      or<0.3nm (polished and surface treatment for epitaxy)
      Back Surface:0.5~1.5μm;
      option:1-3nm (Fine ground); < 0.2nm(polished)
      包裝 Packaged in a class 100 clean room environment,
      in single container,under a nitrogen atmosphere.
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