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    bob

    10×10.5mm2氮化鎵自支撐晶片(Si摻雜)

  • 尺寸: 10.0x 10.5 mm2 厚度: 350 ± 25 μm 電阻率(300k): < 0.05Ω·cm 購買
  • 性能參數:

    • 產品型號 GaN-FS-C-N-S10
      尺寸 10×10.5mm2
      厚度 350±25μm
      晶體取向 C-plane(0001)off angle toward M-Axis 0.35°±0.15°
      TTV ≤10μm
      彎曲度 ≤10μm
      導電類型 N-type
      電阻率(300 K) < 0.05Ω·cm
      位錯密度 From 1x105 to 3x106cm-2
      有效面積 >90%
      拋光 Front Surface:Ra<0.2 nm(polished);
      or <0.3nm(polished and surface treatment for epitaxy)
      Back Surface:0.5~1.5μm;
      option:1-3nm(Fine ground);<0.2nm(polished)
      包裝 Packaged in a class 100 clean room environment,
      in single container,under a nitrogen atmosphere.